304章 问题点头痛
果技术达标且计算本况，内存（ram）存储（rom）完全做统存。
内存（ram）优点很，例读写速度快，够迅速cpu交换数据，存储单元内容按需随取或存入，存取速度与存储单元位置关等等。
缺点很明显，主点断电数据丢失。另外本高，技术难度等。
三星次涨价，整夏机产商集体噤声默默接受，反应夏内存制造技术空白。
存储rom优点内存（ram），计算机运，存储仓库，存储数据量，因断电丢失，性稳定。缺点显易见，速度慢，性随读取次数增加降低。
论存储内存，其实数据存储基本原理相
存储“0“1”，数据本质“0”“1”表示。
存储类型，固态硬盘通高低电平两状态存储“0”“1”，读写电流改变高低电平记录数据增加或减少；机械硬盘则改变内部磁粒方向代表“0”“1”，读写则读写磁力改变磁粒方向记录数据增加或减少。
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内存，数据表达形式通电状态电状态表达“0”“1”。
述原理基础，够制造量芯片盘古科技内存存储设计制造几乎擒。
萧铭给实验组初步设，像传统pc或者机端，材料完全设定内存存储间限制。
微核电池始终通电况，碳化硅半导体材料存储介质让内存存储革命性创新。
碳化硅半导体材料，其雕蚀色，色功除存储旋电，旋电三状态做运算，量芯片外，刻让色转载或者空载电，此记录数据。
萧铭胆设旋电叠加态记录数据，将项伟创举。
旋电叠加状态记录数据量远远超传统硬盘。
设非常，该技术拥重缺陷电旋状态持续间短，断产断消失程。
量芯片够顺序计算因素，造旋量法长期记录数据。
，萧铭头痛，抓三洗头。
此，否拥微核电池数据记录决定性，决定电旋间长短。
间已经接近正午，气温飙升三十五度，今因周末，部班，萧铭空调，萧铭忘记件。
满头汗，相头痛。
紧萧铭合电脑，放笔，浴室打淋浴器。
冰凉水让萧铭头脑清醒少。
虽拥潘沙星记忆，理科类问题信拈，涉及延长电旋寿命问题，准确记忆。
潘沙星似乎突破难题，未高等科技目录或许，绝。
量存储器义何？
真正间界限量存储器，它存储数据量将超类全部存储器存储数据量。
它真实义！
萧铭关掉水龙头，奈笑几声。
口气吃胖啊！何况次萧铭设计吃整类世界存储量。
办公室窗外，直黑鸟炎热眼光飞，躲颗树枝干。
炎热气让善飞鸟儿热够呛，它气干。
萧铭索性离办公室，江城图书馆。
每遇问题候，萧铭喜欢图书馆静坐。
倒因图书馆武功秘籍够让萧铭豁顿悟，图书馆氛围够让萧铭安静，仔细思考解决问题。
往认识萧铭，奇怪干坐呆萧铭眼，嘀咕几句离，认识萧铭惊讶萧铭，选择给萧铭留安静空间。
果旋电存储数据技术段，否退步？
萧铭需打破三星等企业内存垄断，改变内存存储技术。
果辩证目待问题，萧铭豁朗。
旋电虽断产断消失，它强传输速度信息记录量，即量芯片交换数据内存，亦瞬间存储量数据间段。
长期数据存储普通电代替。微核电池半导体材料长期供电保证色长间存电，因此，记录数据。
既电长期存，答案色存储数据单元房间。
此，折叠态碳化硅晶体，虽材料相，因设计存储电状态，将拥三功量芯片，量内存及存储器。
其量芯片量内存需候混，碳化硅优秀性至让内存高速、次读取数据性衰减。
存储器功则类似固态硬盘，固态硬盘采高低电平记录数据改变数据，碳化硅则使色房间否拥电表达“0”“1”此记录或者改变数据。
，萧铭豁朗！何必未知技术硬碰硬。应技术已经跨代。
萧铭避免实验员走弯路，连续周部办公室工，详细将实验原理步骤落文字。