百六十四章 恐怖方向
王易始进入超频长期实验状态，外由林诗琴控，便宜。
直被打断进程。
其实完A1隐形眼镜镜片，王易直摸索魔力锁定电级，使电吸收高光让高光束通。
（复习105章半段，毕竟挂科幻频，基本符合点。）
直研究按部班算顺利，树脂透光波长直150nm左右。
已经相夸张绩！
极紫外线EUV光刻机停留阿斯麦实验室阶段，或许已经雏形原型机，EUV光刻机本目量产芯片，加需真空环境，管光刻机量产芯片光刻机本身商业化需间。
目顶尖光刻机，阿斯麦弯超车与积电理论合弄193nm波长浸润式DUV光刻机，因利液体折射率，使明明193nm深紫外线波长极限精度增加。
虽目普遍芯片工艺20nm，浸润式DUV光刻机理论精度达极限7nm，做点配套工艺，谁达。
光刻机巨头康尼佳，直采干式光刻机，缩短光源波长，哪怕弄157nm波长光刻机依被阿斯麦弯超车，失客户。
尖端科技，赢者通吃！
DUV光刻机哪怕深紫外线，选择镜头已经相稀缺，提供选择概氟化钙氟化钡。
深紫外线光级太高，太容易被吸收，连臭氧层进光，树脂什方夜谭。
王易靠魔力树脂内电加持，硬撸150nm波长通程度。
理论玩儿拿，已经够让卡尔蔡司企业头皮麻，甚至版本光刻机进定程度升级。
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王易，却相满。
魔法科技，极限堆150nm吃力，未EUV光刻机已经接近X射线临界值13.5nm，光级超150nm深紫外线级十倍！
未EUV光刻机选择断反射进汇聚调整，终4%左右利率，光源功率、反射材料与精度需求极高。
哪怕王易，短间全部克服问题！
毕竟13.5nm极紫外线，连空气电离，反射材料本身使寿命，考虑使程光线材料破坏。
高精度设备，轻微破坏足够导致壤别结果。
弯超车话，王易撸足够让级别光线通材料才！
本始，王易靠法师塔魔力准备强压，步步将透光率提高，力证。
次群数久交流，却完全打新思路！
像阿斯麦先靠浸润式光刻机弯超车，佳、康尼始研究浸润式，并利积累技术再次反超，阿斯麦直接新赛弄EUV光刻机，并次性拉逾越距离。
王易完全换思路，直接魔力够吸收光电赋，形某程度魔力电离，再办法解决由电带金属性！
堵疏！
何压制办法，通段间头脑风暴相应数模型。
甚至，果方向继续走话，除制通极紫外线，乃至X射线镜头外。
牵扯相恐怖应区域。
原结构改变与聚变反应！
聚变本质让低序列元素原结构破坏，原核互相结合新元素。
程求却相难，裂变完全量级，单单原结构破坏需量量，原核相原本身太。
很原核与原比区别具体概念。
举例果足球场原话，原核球场圆点放颗黄豆，聚变破坏原结构让两球场黄豆撞，需高温高压加速运确保程。
聚变众周知氢弹太阳。
两者间聚变反应截。
太阳聚变核超1500万度高温，及超铅十倍密度环境，直接由常见氢元素‘氕’完聚变。
先两氕聚变氘，氕氘再聚变氦3，才两氦3聚变氦4外加两氕。
条件求远远氢弹。
氢弹简单氘氚聚变氦4外加程，需条件简单，颗原弹引爆够。
王易研究镜片通高射线，电进新干涉办法，突，利魔力‘温’方式将电拆，理论核聚变难度将几何式降低！
果再控制聚变速度与输功率，做冷聚变技术。
“呵~，玩儿果弄直接拿知引世界战。”
王易算堆公式，揉揉额头。
暂连镜片处理论阶段，直接利氕聚变慢慢搞，魔力‘温’直接摘除电破坏原结构难度，比单纯电离难。
比木星核金属氢，距离聚变条件却差远，连褐矮星聚变条件达。
歹方向已经……
……
终弄理论雏形，且镜片研究定进度，王易便林诗琴问
“安布雷拉边物专邀请少？”
“已经组四团队，靠TT换资源始研究，实验数据步给。”
听林诗琴话，王易很满，员工主观性高，节省精力。
“沙吗？”
“，，研究型才更加喜欢搞技术，沙依老朋友安插。”
“愿做，由，边资料候，共讨论。”
“明白。”
四团队互相联系，偶尔互相资料交流，王易东西混其，被做五六乃至七八团队。
基因功效测试，直接启！
王易够提供，‘催熟’与‘加速’魔力培养基！
够增加效率……
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