165章 芯片产设备位试产始
其实早已经做芯片产业布局。虽承认，咱芯片半导体技术，眼米联邦。差。
告诉消息吧！咱I光源投影式产光刻机已经完技术突破。理论已经够制造三百八十三百五十纳米内芯片。更重属咱逻辑处理器芯片已经设计完，产光刻机位，马产咱芯片。”
众听目瞪口呆。
龙翰科技产处理器芯片。
真假？
幸福太突吧！
韦弘业急忙：“苏，您真吗？”
苏翰：“真。喜欢玩笑吗！，金监，魔建设芯片工厂，已经建设完。组织队精兵勐将。已经定套芯片试验性产线，近组装，试产。魔芯片产厂，边组织组织，试验车间准备，东西位，尽快安装。咱抓紧间调试设备，必须短间内，产咱芯片。次必须让米联邦帮伙，西方亮东方亮，球离谁照转。
某让咱芯片，咱造芯片。
次必须让全世界知，计算机，龙翰科技硬件水平强。”
金梦凡急忙拍胸脯接军令状。
其政部门负责脸羡慕。
金梦凡十八九方员。
内首芯片产厂政，牛逼。
苏翰众：“按部班，该干什，干什。芯片乱，等候咱芯片，米联邦帮伙，什。”
众闻言顿血条再次满血复活。
再像气力。
纷纷打场翻身仗。
……
。
金梦凡带帮亲信往魔芯片产厂。
芯片产厂，已经建半，由直设备，反复做空气质量测试。
毕竟芯片产需尘环境空气质量求非常高。
金梦凡带队，急忙组织员，准备迎接设备。
……
周。
首批测验光刻机、封装机、离注入机等等设备纷纷厂始安装。
光刻机重功光源曝光工艺。
产光刻机什，主光源技术明显滞，曝光工艺。
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其实际市场产量芯片产设备，普遍采代G光源点五微米八百纳米左右技术。
毕竟芯片求三百五十纳米内高端芯片制造。
二代I光源才主三百六十五纳米左右芯片制造。
三代光源深紫外光（DUV）已经。
很稳定并形产。
四代光源技术极紫外光（EUV）头绪。
全球光刻机制造领域几乎卡方。
虽芯片产已经尝试向三代光源靠近。
量产其实二代附近转悠。
英特尔公司奔腾系列AM公司K系列二代光源量产产品。
全球光刻机市场，实际二代光源技术坐庄。
间节点光刻机制造水平。
长岛两品牌主。
苏翰产光刻机处代水平。
完光源问题曝光工艺问题。
毕竟光源产工艺缺。
光刻机曝光工艺共分三。
接近式曝光。
二接触式曝光。
三投影式曝光。
接触式曝光精度很高。
接触式曝光需接触晶圆片，容易造晶圆片掩膜版损伤，良品率低，本高，适合规模产。
几乎。
接近式曝光，虽触碰晶圆片，损伤，良品率高。接近式曝光问题，光线衍射问题，光线衍射分辨率低。提高良品率，损失分辨率。
产处芯片精度太差。
投影式曝光掩膜版光刻胶间使透镜聚光提高分辨率。
投影式曝光工艺眼芯片加工主工艺。
投影式曝光方向。
加工工艺分支。
进步式、扫描式、离轴轴等等……
其实芯片制造难点加工工艺。
加工工艺代表产速度良品率。
产效率语。
内光刻机光源技术停留代水平。
虽曝光工艺投影式，曝光工艺落，产速度效率。
苏翰突破，分三层，光源突破，曝光工艺突破，各产材料突破。
产光刻机代G光源。
经辛苦研。
终突破二代I光源。
毕竟光刻机光源技术未变态。
钱位突破。
制约芯片产主投影式曝光工艺流程。
苏翰光刻机相关知识其实解并，知很芯片设计图纸，其实图纸推算方工艺顺序底什。
毕竟精通芯片设计，精通设备产制造已。
工艺顺序，码模湖答桉。
虽答桉并保证百分百准确。
苏翰并百分百准确答桉。
百分百准确抄袭别吗。
容易惹知识产权纠纷。
苏翰给光刻机产团队工艺思路，剩叫光刻机产团队办法。