0177章 几乎解高环境
很候玩游戏。
候将鞭炮点燃，盆盖住鞭炮，鞭炮炸况。
简单，聚变堆差，壁材料，盆。
壁材料两核问题，高辐照及高通量氘氚(等离体轰击。
高辐照方。
目研究基本容易实D-T聚变：每D-T聚变产14.1 MeV。由带电，法磁场约束，直接轰击壁材料产损伤。
每D-T聚变产14.1 MeV。由带电，法磁场约束，直接轰击壁材料产损伤。
14.1 MeV很很量，知材料束缚原各化键，其键约1-10eV间。
，14.1MeV携带量，足破坏百万普通化键，疑材料造难恢复损伤。
聚变堆李，高像颗颗射向材料弹，断撞击金属原，打断其周围化键，迫使原离原位置，破坏整原排布。
原被击跑，原方留空位，坑材料内部积累聚集，变孔洞。
另外，被击跑原并，通各方式扩散材料表。原断往表转移，材料慢慢像空泡沫肿胀，尺寸变化正常服役材料致命。
除辐照肿胀，辐照材料产量缺陷影响材料力性，使材料变硬、变脆、更容易断裂，影响聚变堆安全运。
材料进核反应，改变材料元素组，例金属W变Re、Os、Hf、Ta。
间长，材料组变始完全，材料影响非常。
辐照问题虽裂变堆，裂变堆论量通量比聚变堆低很，因此裂变堆材料技术法直接移植聚变堆。
高通量氘氚等离轰击方。
聚变堆D-T等离约束并完，反应堆量D-T离轰向壁材料。由T燃料价格十分昂贵，亿民币公斤，因此聚变堆通锂反应进循环利。
避免T呆材料，壁采金属氢亲力弱钨。T进入钨难材料本身效结合，重新跑，继续参与聚变。
虽钨本身T结合，辐照产空洞T吸引力却非常强，T旦跑进孔洞很难。
使T燃料滞留材料内部，破坏T循环，使T越越少。
T，法进聚变。
此外，气体氢位素，D-T进入材料孔洞形气体分。气体分挤限空间内，形十分高压强，挤氢气泡，使材料进步裂，造严重破坏。
裂变堆基本D-T问题，问题聚变堆材料全新，目该问题研究尚处研究阶段。
连基础研究科象解释。
距离研商聚变堆材料很长路走，别问，问商五十往。
另外其困难。
聚变堆服役环境极端严苛，味做相关实验难度十分。
例。
研究聚变堆材料，显需进辐照实验，星球源十分稀缺，做次辐照实验仅耗资巨，耗费数间积累足够损伤。
文献够找辐照数据屈指数，新材料研显利。
研究聚变辐照，往往采离辐照类比，依很贵！
且离带电，材料穿透深度很浅，集材料表几微米内；往往够穿透整材料，引均匀辐照损伤。
因此，离辐照结果少辐照真。
另研究思路则利超级计算机，直接虚拟世界模拟辐照材料损伤，很研究做。
思路临极挑战。
计算机构建模型，其间尺度横跨飞秒，空间尺度埃米厘米，间几十数量级差别犹堑。
任何超算够精准模拟程，各‘真空球形鸡’简化模型。
“怎？腾间？”田教授继续鼓慕景池，“准点班回习惯改改，晚回两三四。”
慕景池摇摇头，拒绝。
壁材料慕景池言，几乎解。
高环境任何材料结构被打烂，果均质材料，基本辙。材料科本材料微观结构办法，微观结构被打碎，再牛逼工艺使啊！
算慕景池未相关知识，核聚变商相关信息。
未突破核聚变问题，萃取知识局限，并被收录核聚变相关知识。
慕景池，问题单纯材料够解决。需材料、数、物理、计算机等等领域通力合才完。
论托卡马克，仿星堆，亦或者原理NIF，三阿尔法源聚变堆，绕壁。
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“您另寻高明吧！”慕景池摇摇头，“什间精力，耐搞壁材料研究。”