180章 ASML
另空，光刻机展经漫长程，1960 代接触式光刻机、接近式光刻机， 1970 代投影式光刻机，1980 代步进式光刻机，步进式扫描光刻机，浸入式光刻机8102 EUV 光刻机，设备性断提高，推集电路按照摩尔定律往展。
曝光光源方， 1960 代初 1980 代期，汞灯已光刻，其光谱线分别 436nm（g 线）、405nm（h 线） 365nm（i 线）。，随半导体业更高分辨率（集度更高速度更快芯片）更高产量（更低本）需求，基汞灯光源光刻工具已再够满足半导体业界高端求。
1982 ，IBM Kanti Jain 创性提“excimer laser lithography（准分激光光刻）”，并进演示，准分激光光刻机器（步进扫描仪）全球集电路产广泛使。展 30 ，准分激光光刻技术直摩尔定律持续推进关键因素。使芯片制造特征尺寸 1990 500nm 推进至 2016 10nm，再8102台积电三星实量产 7nm 产品。
其，汞灯436nm（g 线）、405nm（h 线） 365nm（i 线），准分激光248nm指光刻机光刻曝光光源。
1971Intel 公司推10微米全球款4004微处理器，再19802微米工艺256Kb DRAM，19841微米工艺1Mb DRAM，再1991此即将问世0.35微米工艺64Mb DRAM ……10微米0.35微米，指通光刻机光刻等工艺，芯片内部，晶体管间或者线做距离。
微米纳米概念，底宽或者细，体：
1毫米（mm）等1000微米（μm），微米（mm）等1000纳米（nm）。
男性头直径般4080微米间，性头直径则般20微米40微米间，孩头则40微米左右。
，此工艺1微米芯片，晶体管线宽概孩头直径1/40；换言，直径40微米头横切积，按照1微米工艺光刻，光刻20-30晶体管！
光刻工艺越，工艺制程越，芯片集度越高，性越，功耗越低。
，电产品断追求卓越性背，芯片处理力断升！反应芯片产厂芯片制造设备，芯片制程工艺断缩光刻机等设备光刻特征尺寸断缩。
，余贤ASML制造0.8微米工艺制程芯片PAS5000光刻机，次拿1.2微米PAS2300光刻机。甚至惜，给ASML制造紧张气息，透露PAS5500扫描式步进光刻机相关信息！
“怎知PAS5500型光刻机即将世？”托斯·基维先站，怼余贤脸，严肃问！
“托斯·基维先，合已经消失……，很抱歉，告诉原因！”
“……余先，切皆！”
“走吧……”余贤直接带头站，带其几向外走！
余贤走，虽更给ASML压力，让退让，愿合理价格售光刻机！算1微米PAS2500售困难，果ASML偿将1.5微米PAS2300升级1.2微米，倒接受。
，余贤乌鸦般黑，已经做坏打算。，余贤本捡PAS2300便宜，果1.5微米制程，余贤再，让曹飞再重点公关佳，或许接受价格引进1.2微米光刻机！
托斯·基维余贤直接走，点急，再次声喊：“余先，等等，立即向部申请！”
牵扯PAS5500光刻机市，慎重。更何况，，香积电确实PAS2300光刻机非常合适买主！
目，湾岛苔积电联华电厂房建设早已经结束，两苔积电，代工商业模式被认，订单稀少。经两展，湾岛半导体业才实步，始逐步盈利。刚完投资苔积电，短间内很难继续再建设新产线。
关键随PAS5500市，市85PAS2300系列光刻机，处即将被主流市场淘汰边缘。
湾岛找买，尼康垄断曰本韩市场，更找买。难真运回？
精密仪器，完运送回，绕球半圈，湾岛芬兰，运费20万步！
直放回啊，既给苔积电交场租费，临间推移技术展，两台PAS2300光刻机断贬值危险！
满足香积电余贤求，需PAS2300光刻机进升级，且费。台50万元升级费，果算工材料等等费少！
“首席，果乘机将两台PAs2300卖话，赚少问题，亏损少问题！”
站斯托·基维旁边办处销售代表阿莱克西斯·吕蒂（Aleksis·Ryti）忽提醒。
“……”犹豫抬头斯托·基维却再余贤身影……跑窗跟，已经办公楼余贤背影。
“哎，阿莱克西斯”，先给部打电话吧，将况全部告诉，做进步请示……”
“，托斯首席。”阿莱克西斯低声。
回酒店余贤，正召集集思广益。
“老板，工做，具体况解位！”佟若愚站，首先责并检讨。
“佟，您必责，次谈判失败并代表终失败，且次，主原因改变主。根据目技术展，已经1.5微米工艺制程设备，等半满产，主流工艺已经接近0.5微米，落代。争取1微米工艺，1.2微米工艺制程保证！”
余贤叹息口气，：“升级费50万，价太狠！买1微米PAS2500光刻机，卖！”
“，等吧，门找！”余贤留诱饵半握。
“鹿岛叔，结合NEC经验，先法吧！”，鹿岛智树怎话。
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余贤，鹿岛智树NEC供职期，何曾愁设备问题，切NEC操，鹿岛智树负责产运维！
“余，其实ASML设备，熟悉，未曾使。。强调点，设备制造标准统性，具体目香积电已经存3微米光刻机协调配合，甚至与曰本其厂商产刻蚀机、离注入机等设备配合，考虑内！”
鹿岛智树给进步解释……
香积电工艺实验室（研）厂产线批量产设备虽属机，将实验室工艺导入产线，产线进升级，终理目标工艺结果，比1.2微米工艺制程，必须断产线设备或者工艺做进步调整，找微妙合适某点，或者限接近点，终让设备工艺处佳状态，良率幅度提高，确保80……
果点找，算调试1.2微米制程，良率……甚至良率零！
知，即使产规格型号设备，存微性状态差异，差异称“机差”。
“机差”，每半导体制造设备厂产型号设备，因控因素存导致设备差异。
随半导体设备精密化程度断提高，机差问题益显著。
正因机差等各因素影响，般，新建设产线试产，初始良率几乎零。将良率尽快提高接近80%（或者某目标值），并且长期维持接近80%（或者某目标值）品率技术，才工厂批量产终目标求！
“，余，建议设备采购合定特备求，各设备厂设备安装调试期间，必须选派技术熟练技术员场指导、或者监督，确保每台设备正确安装，乃至步设备联试顺利进，程度缩短调试周期！始产效益！哪怕此付额外设备安装指导技术工费，非常值！”
“！”听鹿岛智树真知灼见，余贤仅够功聘请鹿岛智树庆幸！步香积电产线升级庆幸！
必，位专监督，香积电产线升级改造少走许弯路，顺利许！
“鹿岛叔，什补充吗？”
“暂！”
“其补充？”
“……”
“！”
……
“，再两点：，暂将产线芯片工艺制程确定1.2微米级别！4英寸晶圆应芯片工艺制程1.2微米！”
二，程渡，赶快联系曹飞，让再次接触佳，加强公关，争取让佳尽早回复1.2微米光刻机步进式售性……并且让加快其设备厂商谈判，争取早供货，1月内供货……
果ASML边PAS2300终够谈妥，光刻机设备供货马位，其设备供货需加快！
“三，佟若愚，，马通知蔡俊杰，让实验室再次梳理1.2微米工艺流程，并且根据香积电设备及技术实际，制定严密工艺导入调试方案！”
“鹿岛叔，辛苦配合蔡俊杰实验室，做各方案审核等技术工！”
“，余！”鹿岛智树欣答应。
突，鹿岛智树什，接：“余，香积电目3微米工艺应净化厂房辅助力设施建设标准需提高……按照1.2微米工艺制程需，建议……”
鹿岛智树建议，决定升级厂房建设标准！
扩5000平米净化厂房及提高辅助力设施，建设高标准、高质量水气电力保障，求纯水质量达20兆欧；二氧化氮、氧气、氢气等气体管全采高规格锈钢管，并配置高纯度气体净化器；供电采双路双电源供电，更换ms级切换电源装置，净化间洁净度分区采1000级100级，连光刻间黄光区升级改造10级！
，目1.5微米产线净化厂房及力设施达际通标准水平。
陈树林1000万元，给余贤提高工艺标准高底气。且1000万专款专，，余贤其法，尽快让1000万元变产芯片产线，才应！
至剩尾款缺口……应该“雪球计划”应该及！
余贤安排务，余贤听门外敲门声音。
余贤住酒店房间属办公套房，议室、客厅应俱全。
两分钟，门程渡回，：“托斯先……”
“哦，快……”
PS：抱歉，几章专业性内容太强，查询量资料，更新修复章节（179章）点慢，见谅。