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4．电力设备三相交流技术
两相交流电四根电线输电技术。德勃罗沃尔斯基绕组窍门，绕组每隔10度三方引抽头，三相交流电。1889，利三相交流电旋转磁场，制功率100早三相交流电机。
，勃罗沃尔斯基三相四线制交流接线方式，并1891法兰克福输电实验（150va三相变压器）获圆满功。
8．电电路元器件历史
代，包括计算机内电繁荣昌盛代，其背景与电电路元器件由电管-晶体管=集电路断展密切关系。
1．电管
电管沿二极管-三极管-四极管-五极管顺序明。
二极管：曾经讲，爱迪电灯泡灯丝射电“爱迪效应”。1904，英弗莱明受“爱迪效应”启，明二极管。
三极管：1907，福雷斯特明三极管。，真空技术尚熟，三极管制造水平高。反复改进程，懂三极管具放，终拉电帷幕。
振荡器讲马尼火花装置展三极管振荡器。三极管三电极，阳极，阴极设置二者间控制栅极。控制栅极控制阴极射电流。
四极管：1915，英朗德三极管控制栅极与阳极间加电极。称帘栅极，其解决三极管流向阳极电流部分流控制栅极问题。
五极管：197。德约布斯特阳极与帘栅极间加电极，明五极管。新加电极被称抑制栅。加入电极原因：四极管，电流撞阳极阳极产二次电射，抑制栅抑制二次电射设置。
此外，194汤绿森通电管进型化改进，明适超短波橡实管。
管壳玻璃采金属st管明197，经型化mt管明199。
．晶体管
半导体器件致分晶体管集电路（ic）两部分。二次世界战，由半导体技术进步，电令瞩目展。
晶体管贝尔实验室肖克莱。巴丁，布拉特1948明。
晶体管结构使两根金属丝与低掺杂锗半导体表接触，称接触型晶体管。
1949，结型晶体管，实化方进步。
1956制造p型n型半导体扩散法。它高温将杂质原渗透半导体表层方法。1960外延长法并制外延平型晶体管。外延长法硅晶体放氢气卤化物气体制造半导体方法。
半导体技术展，随诞集电路。
．集电路
约1956，英达马晶体管原理预集电路。
1958提半导体制造全部电路元器件，实集电路化方案。
1961，克萨斯仪器公司始批量产集电路。
集电路并电路元器件连接电路。具某功电路“埋”半导体晶体器件。它易型化减少引线端，具靠性高优点。
集电路集度逐增加。元件数100规模集电路，100~1000规模集电路，1000~100000规模集电路。及100000超规模集电路，已依次，并各装置获广泛应。
电磁效应
物质电效应电与其物理科(甚至非物理科)间联系纽带。物质电效应类繁。许已或正逐渐展专门研究领域。比：
电致伸缩、压电效应(机械压力电介质晶体产电性电极性)逆压电效应、塞贝克效应、珀耳帖效应(两金属或半导体接头处，电流沿某方向通放热量。电流反向则吸收热量)、汤姆孙效应(金属导体或半导体维持温度梯度，电流沿某方向通放热量。电流反向则吸收热量)、热敏电阻(半导体材料电阻随温度灵敏变化)、光敏电阻(半导体材料电阻随光照灵敏变化)、光伏打效应(半导体材料因光照产电位差)，等等。
各电效应研究助解物质结构及物质基本程，此外技术，它实量转换非电量电测法基础。
电磁测量
电组部分。测量技术展与科理论展密切联系，理论展推测量技术改进；测量技术改善新基础验证理论，并促新理论。
电磁测量包括电磁量测量，及关其量(交流电频率、相角等)测量。利电磁原理已经设计制各专仪表(安培计，伏特计、欧姆计、磁场计等)测量电路，它满足各电磁量测量。
电磁测量另重方非电量(长度、速度、形变、力、温度、光强、分等)电测量。它主原理利电磁量与非电量相互联系某效应，将非电量测量转换电磁量测量。由电测量系列优点：准确度高、量程宽、惯量、操简便，并远距离遥测实测量技术化，非电量电测量正断展。
电相关
电经典物理分支，其基本原理言，已展相完善，它明宏观领域内各电磁象。
0世纪，随原物理、原核物理粒物理展，类认识深入微观领域，带电粒与电磁场相互问题，经典电磁理论遇困难。虽经典理论曾给结果，许象经典理论明。经典理论局限性带电粒描述忽略其波性方，电磁波描述忽略其粒性方。
按照量物理观点，论物质粒或电磁场既粒性，具波性。微观物理研究推，经典电磁理论展量电磁理论。(未完待续。。)（未完待续）
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